LED照明應用趨勢及散熱問(wèn)題由于固態(tài)光源(Solid State Lighting)技術(shù)不斷進(jìn)步，使近年來(lái)LED的發(fā)光效率提升，逐漸能取代傳統光源，目前發(fā)光效率已追過(guò)白熾燈及鹵素燈而持續向上成長(cháng)，如圖一所示。

 

圖一、LED發(fā)光效率趨勢比較

 

    而一些公司更已開(kāi)發(fā)出效率突破100lm/W 的LED元件，這也使得LED的照明應用越來(lái)越廣，不但已開(kāi)始應用于室內及戶(hù)外照明、手機背光模組及汽車(chē)方向燈等，更看好在高瓦數的投射燈及路燈等強光照明、大尺寸背光模組以及汽車(chē)頭燈等的應用。由于擁有省電、環(huán)保及壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，更使未來(lái)以L(fǎng)ED光源為主流的趨勢越趨明顯。    

 

    為了讓LED發(fā)更亮的光而需要輸入更高的功率，然而目前大功率LED的光電轉換效率(Wall-Plug-Efficiency; WPE)值仍然有限，一般僅有約15~25% 的輸入功率成為光，其馀則會(huì )轉換成熱能。由于LED晶片面積很小(~1mm2)，因此使高功率LED單位面積的發(fā)熱量（發(fā)熱密度）非常高，甚至較一般的 IC 元件更為嚴重，也使得LED 晶片的接面溫度(Junction Temperature)大為提升，容易造成過(guò)熱問(wèn)題。過(guò)高的晶片接面溫度會(huì )使LED 的發(fā)光亮度降低，其中以紅光的衰減最為明顯。也會(huì )造成LED的波長(cháng)偏移而影響演色性，更會(huì )造成LED可靠度的大幅降低，如圖三所示，因此散熱技術(shù)已成為目前LED技術(shù)發(fā)展的瓶頸。

 

 

圖二、元件壽命和晶片溫度的關(guān)系

 

 

圖三、LED散熱路徑及熱阻網(wǎng)路Chip Level 、Package Level 和PCB Level 的散熱設計

 

    因此散熱設計的挑戰較大，必須從晶片層級、封裝層級、PCB 層級到系統模組層級，都要非常重視散熱設計，并尋求最佳的散熱方桉。對于LED照明產(chǎn)品而言，由于系統端的散熱限制較大，因此其它層級的散熱需求就更明顯。對于LED熱傳問(wèn)題，最基本的分析方法就是利用熱阻網(wǎng)路進(jìn)行分析。也就是將LED由晶片熱源到環(huán)境溫度的主要散熱路徑建構熱阻網(wǎng)路，如圖四所示，然后分析各熱阻值的特性及大小，如此可以推算理想狀況時(shí)的晶片溫度，并針對熱阻網(wǎng)路各部分下對策以降低熱阻值。需注意的是，圖四是就Chip Level 、Package Level 、Board Level 及System Level 組成的熱阻網(wǎng)路。實(shí)際分析時(shí)可依據系統結構組成更詳細的熱阻網(wǎng)路，例如考慮Die Attach 材料及Solder 等介面材料之熱阻，或是散熱模組結構之熱阻值。

 

    由于LED晶片的Sapphire 基板導熱特性較差，會(huì )造成圖三之熱阻值Rjs 過(guò)高，因此改善方式必須用高導熱的材料如銅取代Sapphire ，或是採用覆晶方式將基板移開(kāi)熱傳路徑，以降低熱阻值。目前在晶片到封裝層級性能較佳的散熱設計，包括共融合金基板及覆晶形式等設計，使熱更容易從晶片傳到封裝中。而增加晶片尺寸以降低發(fā)熱密度也是可行的方向。

 

    大功率LED的散熱設計非常重要，關(guān)系到LED的發(fā)光的品質(zhì)及使用壽命。透過(guò)熱阻網(wǎng)路可迅速分析散熱能力及需求并尋求散熱對策，由于大功率LED發(fā)熱密度很大，必須從Chip Level、Package Level、Board Level到System Level 各層級進(jìn)行散熱設計，降低熱阻，才能得到最佳的散熱效果。目前國際上各大LED晶片及封裝廠(chǎng)商都致力于發(fā)展發(fā)光效率更高的產(chǎn)品，透過(guò)提升光的量子效率等方式提升光電轉換效率，以降低晶片發(fā)熱量。為了使LED產(chǎn)品的發(fā)展及應用更為快速，相關(guān)的散熱技術(shù)仍需同步發(fā)展。由于人類(lèi)對于生活品質(zhì)的需求不斷提升，就如同IC 產(chǎn)品對于散熱的需求一直存在，散熱設計在各種大功率LED的產(chǎn)品設計中仍將佔有重要的地位。