LED技術(shù)突破
：2018-03-06
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美國研究人員制作無(wú)下垂LED
香檳分校伊利諾伊大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種制造更明亮、更高效的綠色LED今年的新方法。使用工業(yè)標準的半導體生長(cháng)方法，在硅襯底上生長(cháng)氮化鎵（GaN）立方晶體，以產(chǎn)生用于固態(tài)照明的強大的綠光。
“這項工作是非常革命的這為新型綠色波長(cháng)的發(fā)射器，可以針對先進(jìn)的固態(tài)照明在一個(gè)可擴展的CMOS硅平臺的新材料開(kāi)發(fā)，立方氮化鎵，說(shuō)：”可以Bayram，于伊利諾斯電氣和計算機工程的助理教授
通常，氮化鎵形成兩種晶體結構之一：六方晶系或立方晶系。六方GaN在熱力學(xué)上是穩定的，傳統的半導體應用形式。然而，六方形式的GaN更容易極化，內部電場(chǎng)將帶負電的電子和帶正電的空穴分開(kāi)，阻止它們結合，從而降低光輸出效率。
巴伊蘭和他的研究生Richard Liu的研究引入了一個(gè)立方GaN晶體的形式，他們認為它可以使LED零下垂。對于綠色，藍色或紫外線(xiàn)LED，發(fā)光效率普遍下降，較高的電流輸入，其特點(diǎn)是“下垂”。
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Ostendo Epilab推出世界上第一個(gè)全彩色的GaN基LED
位于卡爾斯巴德加利福尼亞南部，Ostendo EpiLab推出了世界上第一個(gè)RGB LED?；贚ED的GaN技術(shù)使用三個(gè)特定的材料構成的量子結構發(fā)出不同顏色的光，顏色LED可以單獨或混合排放。傳統的LED通常是單色的，只能發(fā)出一個(gè)波長(cháng)。為了實(shí)現多彩的RGB照明效果，需要一個(gè)以上的LED來(lái)混合所需的顏色。
顏色由LED所用的熒光粉涂層或襯底材料決定。只有少數研究人員試圖制造一種能夠發(fā)射全范圍RGB顏色的LED芯片。
ostendo開(kāi)發(fā)下一代固態(tài)照明（SSL）為基礎的顯示技術(shù)和產(chǎn)品的商業(yè)和消費市場(chǎng)的目的在實(shí)現效率和成本效益的材料，設備和系統的水平。ostendo的有利的技術(shù)支持，在各自的市場(chǎng)顛覆性的產(chǎn)品。
紫外LED曲面透鏡技術(shù)進(jìn)展
重慶綠色智能在中國科學(xué)院公布了新的進(jìn)步，在紫外LED曲面透鏡技術(shù)所集成光學(xué)技術(shù)研究所，可應用于紫外光源接觸，PCB，液晶顯示器，甚至在觸摸屏的應用。中國研究院已獲得專(zhuān)利cn203642076u UV LED透鏡，和高度統一的UV LED曝光cn201420651432.4。
傳統的平行光曝光機使用高壓水銀燈因為光源有很短的壽命為1000小時(shí)，高功率消耗和污染物。用以取代汞燈光源的紫外發(fā)光二極管壽命幾乎是汞燈的50倍，可將能源消耗減少90%，大大降低生產(chǎn)成本，降低環(huán)境污染。
該研究所在LED多個(gè)曲面的精密照明方面取得了重大突破，適用于紫外波段和非有機光學(xué)元件加工等關(guān)鍵技術(shù)。研制的初始階段是以紫外LED準直曝光機為基礎，準直半角度可控制在2°以?xún)?，照度分布不均勻小?%，光強可達40毫瓦/平方厘米。
saphlux開(kāi)發(fā)新技術(shù)來(lái)解決問(wèn)題，Shuji Nakamura就
于2014由來(lái)自耶魯大學(xué)的Jung Han教授，GaN材料供應商saphlux終于在2016年初提供了新的解決方案。該公司拒絕透露細節，因為它涉及到機密業(yè)務(wù)信息，最終擺脫了傳統的半極性氮化鎵材料增長(cháng)模型。該公司已能夠提供標準的大尺寸藍寶石襯底，可直接用于生長(cháng)半極化氮化鎵，并控制晶體的生長(cháng)方向和形狀。
這項技術(shù)突破表明，該行業(yè)將能夠解決量子下垂的瓶頸，以及第一代LED材料的綠色差距，從而生產(chǎn)出高效的LED和激光器。
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